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STF20N65M5-HXY
SiC功率N沟道增强型MOSFET，高速开关、低电容、低导通电阻
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有650V漏源电压（VDSS）和20A连续漏极电流（ID），导通电阻为160mΩ，支持-5V至+16V栅源电压范围，具备良好的电气稳定性与开关特性。采用碳化硅材料，显著提升器件在高电压、高频率工作条件下的效率与热性能。适用于高效能电源转换系统，如大功率开关电源、光伏逆变装置、储能系统中的能量管理模块以及高密度DC-DC变换器。其低导通损耗与快速响应能力有助于优化电路设计，提高系统整体功率密度与运行可靠性。
- 商品型号
- STF20N65M5-HXY
- 商品编号
- C52098415
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 耗散功率(Pd) | 52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 208pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 18pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ |
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