FCPF190N65S3L1-HXY

FCPF190N65S3L1-HXY

描述

该N沟道碳化硅场效应管具有650V的漏源电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至160mΩ，适用于高效率功率转换设计。其栅源电压范围为-5V至+16V，具备良好的开关特性与热稳定性。得益于碳化硅材料的优异性能，该器件可在高频、高温及高电压环境下可靠运行，广泛应用于电源转换、可再生能源系统、储能装置及电力传输设备中的DC-DC变换器、逆变器与功率因数校正电路，有助于提升系统整体能效与功率密度。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

FCPF190N65S3L1-HXY

商品编号

C52098413

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)