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IPA65R190E6XKSA1-HXY
SiC功率MOSFET N沟道增强模式，高速开关、低电容、低导通电阻
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源击穿电压（VDSS）和20A的额定漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）低至160mΩ，可减少导通损耗。栅源电压范围为-5V至+16V，支持稳定可靠的栅极驱动控制。采用碳化硅材料，器件具有优异的耐高温性能和高频开关能力，适用于高效率的功率变换拓扑，如PFC电路、DC-DC转换器及逆变电源，能够满足对系统效率、功率密度和热管理有较高要求的应用需求。
- 商品型号
- IPA65R190E6XKSA1-HXY
- 商品编号
- C52098411
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@15V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.6nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 208pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 18pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±26V |
商品特性
- 低电容高速开关
- 低RDS(ON)高阻断电压
- 易于驱动和并联
- 有效降低结温(Tj)和热阻(Rth),抗电磁干扰(EMI)能力强
- 符合 RoHS 标准
应用领域
-功率因数校正模块-开关模式电源-功率逆变器-高压 DC/DC 转换器
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