IPA65R190E6XKSA1-HXY

IPA65R190E6XKSA1-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源击穿电压（VDSS）和20A的额定漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）低至160mΩ，可减少导通损耗。栅源电压范围为-5V至+16V，支持稳定可靠的栅极驱动控制。采用碳化硅材料，器件具有优异的耐高温性能和高频开关能力，适用于高效率的功率变换拓扑，如PFC电路、DC-DC转换器及逆变电源，能够满足对系统效率、功率密度和热管理有较高要求的应用需求。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPA65R190E6XKSA1-HXY

商品编号

C52098411

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)