- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IPA65R190C6XKSA1-HXY
SiC功率MOSFET N沟道增强模式，高速开关、低电容、高耐压、低导通电阻
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- 描述
- 本产品为N沟道碳化硅场效应管，具备650V的漏源电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至160mΩ，有助于减少导通损耗并提升系统效率。栅源电压范围为-5V至+16V，支持稳定的驱动控制。得益于碳化硅材料的高热导率与高击穿场强，该器件可在高频、高温及高压条件下稳定运行，适用于高效开关电源、可再生能源发电系统、不间断电源及高功率密度转换装置中的功率开关应用。
- 商品型号
- IPA65R190C6XKSA1-HXY
- 商品编号
- C52098409
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | 独立式 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 耗散功率(Pd) | 52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 208pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 18pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@15V |
商品特性
- 高速开关与低电容
- 高阻断电压与低导通电阻
- 易于驱动和并联
- 有效降低结温和热阻，高抗电磁干扰能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- 功率因数校正模块
- 开关模式电源
- 功率逆变器
- 高压直流/直流转换器
- FCPF190N65S3L1-HXY
- FCPF190N65S3R0L-HXY
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- STD18N65M5-HXY
- IPA65R190E6XKSA1-HXY
- MO 120-MC-BL
- 60-100c-150kg
- 47CM*40CM*29CM-blue
- WDBEPK0010BBK
- MAX26040ATPAY+