IPA65R190C6XKSA1-HXY

IPA65R190C6XKSA1-HXY

描述

本产品为N沟道碳化硅场效应管，具备650V的漏源电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至160mΩ，有助于减少导通损耗并提升系统效率。栅源电压范围为-5V至+16V，支持稳定的驱动控制。得益于碳化硅材料的高热导率与高击穿场强，该器件可在高频、高温及高压条件下稳定运行，适用于高效开关电源、可再生能源发电系统、不间断电源及高功率密度转换装置中的功率开关应用。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPA65R190C6XKSA1-HXY

商品编号

C52098409

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)