FCPF260N65FL1-F154-HXY

SiC功率MOSFET N沟道增强模式，高速开关、低电容、低导通电阻

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源击穿电压（VDSS）和20A的持续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）低至160mΩ，可减少导通损耗。栅源电压（VGS）支持-5V至+16V范围，确保可靠的栅极控制与器件稳定性。基于碳化硅材料特性，该器件具有优异的耐高温性能和快速开关能力，适用于高密度电源系统、高效直流变换装置及高频率功率转换电路，有助于提升系统能效并减小散热设计负担，是先进电力电子应用中的关键功率开关元件。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

FCPF260N65FL1-F154-HXY

商品编号

C52098387

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)