STF23N80K5-HXY

SiC功率MOSFET N沟道增强模式，高速开关、低电容、高耐压、低导通电阻

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和20A的额定漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）典型值为160mΩ，在高温环境下仍能保持良好的导电性能。栅源电压范围为-5V至+16V，支持稳定可靠的栅极驱动控制。基于碳化硅材料的优异特性，器件具备更高的开关速度与耐温能力，适用于高效率电源转换系统，如高频DC-DC变换器、大功率充电设备及可再生能源发电中的逆变单元，有助于降低系统能量损耗并提升功率密度。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STF23N80K5-HXY

商品编号

C52098399

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

2.524克(g)