R6524ENXC7G-HXY

R6524ENXC7G-HXY

描述

该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至160mΩ，适用于高效率功率转换设计。其栅源电压范围为-5V至+16V，确保了稳定可靠的开关控制。得益于碳化硅材料的特性，器件具有优异的高温工作性能和快速开关能力，可有效降低系统损耗。典型应用包括高频DC-DC变换器、电源模块、太阳能逆变系统及高密度电源转换装置，适合对能效和功率密度有较高要求的场景。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

R6524ENXC7G-HXY

商品编号

C52098404

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)