FCPF190N65FL1-F154-HXY

FCPF190N65FL1-F154-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）典型值为160mΩ，可有效降低导通损耗。栅源电压范围为-5V至+16V，支持稳定可靠的栅极驱动控制。基于碳化硅材料的特性，器件具备优异的高温稳定性、快速开关响应及低反向恢复电荷，适用于高频率、高效率的功率转换场景。典型应用涵盖高效开关电源、可再生能源发电系统、储能变换装置及高功率密度电源模块。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

FCPF190N65FL1-F154-HXY

商品编号

C52098405

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)