R6524KNXC7G-HXY

R6524KNXC7G-HXY

描述

本款N沟道碳化硅场效应管具有650V漏源电压（VDSS）和20A连续漏极电流（ID），导通电阻为160mΩ，可有效降低导通损耗，提升系统效率。栅源电压范围为-5V至+16V，支持稳定可靠的栅极驱动控制。基于碳化硅材料特性，该器件具备优异的高频开关能力、高温工作稳定性及较低的开关损耗。适用于高效率开关电源、高压直流变换装置、可再生能源发电逆变单元及高功率密度电源系统，尤其适合对热管理性能和能量转换效率有较高要求的电力电子设计场景。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

R6524KNXC7G-HXY

商品编号

C52098403

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)