STF18N65DM2-HXY

STF18N65DM2-HXY

描述

本款N沟道碳化硅MOSFET具备650V漏源电压（VDSS）和20A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至160mΩ，可有效降低导通损耗。栅源电压范围为-5V至+16V，支持标准驱动电路，确保开关稳定性。依托碳化硅材料的高临界电场与高热导率特性，器件在高频、高压工作条件下仍能保持优异的开关性能与热可靠性。适用于高功率密度电源系统，如高效开关电源、高压直流变换模块及可再生能源发电设备中的功率转换单元，有助于提升系统整体能效并减小散热设计复杂度。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STF18N65DM2-HXY

商品编号

C52098400

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)