IPA60R180P7-HXY

IPA60R180P7-HXY

描述

该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至160mΩ，适用于高效率、高频率的功率转换场景。其栅源电压范围为-5V至+16V，确保了稳定可靠的栅极控制。得益于碳化硅材料的特性，该器件具有优异的开关性能和高温工作能力，可显著降低系统开关损耗。典型应用包括高效电源模块、高压直流变换、可再生能源逆变装置及高密度功率转换系统，适合对热管理与能效要求严苛的设计需求。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPA60R180P7-HXY

商品编号

C52098401

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)