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MSJPF20N65A-BP-HXY
SiC功率MOSFET N沟道增强模式，高速开关低电容，高耐压低导通电阻，易驱动并联，低结温和热阻，抗EMI能力强，符合RoHS标准
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDON）低至160mΩ，有助于降低导通损耗。栅源电压（VGS）支持-5V至+16V范围，确保器件在驱动电路中的稳定开通与关断。采用碳化硅材料，具备优异的高频开关特性、耐高温性能和较低的开关损耗。适用于高效率电源转换系统，如大功率开关电源、高压DC-DC变换器、储能系统逆变单元及高密度电源模块，可提升系统整体能效和功率密度。
- 商品型号
- MSJPF20N65A-BP-HXY
- 商品编号
- C52098402
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 耗散功率(Pd) | 52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ |
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