MSJPF20N65A-BP-HXY

MSJPF20N65A-BP-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDON）低至160mΩ，有助于降低导通损耗。栅源电压（VGS）支持-5V至+16V范围，确保器件在驱动电路中的稳定开通与关断。采用碳化硅材料，具备优异的高频开关特性、耐高温性能和较低的开关损耗。适用于高效率电源转换系统，如大功率开关电源、高压DC-DC变换器、储能系统逆变单元及高密度电源模块，可提升系统整体能效和功率密度。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

MSJPF20N65A-BP-HXY

商品编号

C52098402

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)