SIHA15N60E-E3-HXY

SiC功率MOSFET N沟道增强模式，高速开关、低电容、高耐压、低导通电阻

描述

该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源耐压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDS(on)）低至160mΩ，可有效降低导通损耗，提升系统效率。其栅源电压范围为-5V至+16V，确保了器件的可靠关断与稳定导通。采用宽禁带半导体材料，具备优异的高频开关特性与高温工作能力，适用于高功率密度电源转换场景，如高效开关电源、太阳能逆变装置及高频率DC-DC变换器，有助于减小无源器件体积并提升整体能效水平。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SIHA15N60E-E3-HXY

商品编号

C52098395

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)