STFU23N80K5-HXY

STFU23N80K5-HXY

描述

该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至160mΩ，适用于高效率、高频率的功率转换场景。其栅源电压范围为-5V至+16V，确保了稳定的开关控制与可靠性。得益于碳化硅材料特性，器件具有优异的耐高温性能和较低的开关损耗，可应用于大功率电源变换器、太阳能逆变系统及高密度电源模块中，有助于提升系统整体能效并减小散热设计负担。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STFU23N80K5-HXY

商品编号

C52098398

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)