温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SIHF15N65E-GE3-HXY
SiC功率MOSFET N沟道增强模式，高速开关、低电容、高耐压、低导通电阻
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDS(on)）典型值为160mΩ，有助于降低导通损耗并提升系统效率。栅源电压范围为-5V至+16V，支持稳定可靠的驱动控制。基于碳化硅材料特性，器件具备优异的高温工作性能、高开关频率能力与低开关损耗，适用于高效率电源转换系统，如大功率开关电源、光伏逆变单元、储能系统中的DC-AC变换模块以及高密度DC-DC转换电路，能够满足对功率密度与能效要求较高的应用场景。
- 商品型号
- SIHF15N65E-GE3-HXY
- 商品编号
- C52098396
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 耗散功率(Pd) | 52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 208pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 18pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ |
相似推荐
其他推荐
- IPA60R280CFD7XKSA1-HXY
- STFU23N80K5-HXY
- STF23N80K5-HXY
- STF18N65DM2-HXY
- IPA60R180P7-HXY
- MSJPF20N65A-BP-HXY
- R6524KNXC7G-HXY
- R6524ENXC7G-HXY
- FCPF190N65FL1-F154-HXY
- AOTF25S65
- SPA20N65C3XKSA1-HXY
- IPA65R190CFDXKSA2-HXY
- IPA65R190C6XKSA1-HXY
- IPA65R190CFDXKSA1-HXY
- IPP65R190C6XKSA1-HXY
- FCPF190N65S3L1-HXY
- FCPF190N65S3R0L-HXY
- STF20N65M5-HXY
- IPA60R199CPXKSA1-HXY
- IXFP18N65X2M-HXY
- R6520ENXC7G-HXY