SIHF15N65E-GE3-HXY

SIHF15N65E-GE3-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDS(on)）典型值为160mΩ，有助于降低导通损耗并提升系统效率。栅源电压范围为-5V至+16V，支持稳定可靠的驱动控制。基于碳化硅材料特性，器件具备优异的高温工作性能、高开关频率能力与低开关损耗，适用于高效率电源转换系统，如大功率开关电源、光伏逆变单元、储能系统中的DC-AC变换模块以及高密度DC-DC转换电路，能够满足对功率密度与能效要求较高的应用场景。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SIHF15N65E-GE3-HXY

商品编号

C52098396

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)