IPA60R280CFD7XKSA1-HXY

IPA60R280CFD7XKSA1-HXY

描述

本款N沟道碳化硅MOSFET具备650V漏源电压额定值（VDSS）和20A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDS(on)）低至160mΩ，可有效减少导通损耗，提升系统热性能。栅源电压范围为-5V至+16V，确保驱动稳定性与器件可靠性。依托碳化硅材料的高临界电场与高热导率特性，该器件支持高频开关操作，具有较低的开关损耗和优异的高温工作表现，适用于高效率、高功率密度的电力电子系统，如大功率开关电源、可再生能源发电逆变装置、储能系统功率转换级及高频率DC-DC变换电路。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPA60R280CFD7XKSA1-HXY

商品编号

C52098397

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)