SIHA15N65E-GE3-HXY

SIHA15N65E-GE3-HXY

描述

本款N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源耐压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻为160mΩ，在高频开关条件下仍能保持较低的导通损耗。栅源电压范围为-5V至+16V，支持稳定可靠的栅极驱动控制。得益于碳化硅材料的高临界电场强度与高热导率特性，该器件具有优异的高温工作性能和快速开关响应，适用于高效率AC-DC电源、大功率DC-DC变换器及光伏逆变模块等场景，有助于提升系统功率密度并降低整体能耗。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SIHA15N65E-GE3-HXY

商品编号

C52098394

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)