IPD60R360PFD7S-HXY

IPD60R360PFD7S-HXY

描述

该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源电压（VDSS）和15A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至260mΩ，适用于高效率功率转换设计。其栅源电压范围为-5V至+16V，确保了驱动兼容性与工作稳定性。得益于碳化硅材料的优异特性，该器件可在高频、高温及高压环境下保持低开关损耗与导通损耗，广泛应用于开关电源、光伏逆变系统、服务器电源模块及高密度电源转换装置中，满足对能效与功率密度有较高要求的场景。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPD60R360PFD7S-HXY

商品编号

C52098377

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)