R6511END3TL1-HXY

R6511END3TL1-HXY

描述

该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源电压（VDSS）和15A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至260mΩ，适用于高效率功率转换设计。其栅源电压范围为-5V至+16V，确保了稳定可靠的开关控制。得益于碳化硅材料优异的物理特性，该器件可在高频、高温及高压环境下保持优良性能，广泛用于开关电源、光伏逆变、储能系统及高密度电源模块等应用，有助于提升系统整体能效并减小散热设计负担。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

R6511END3TL1-HXY

商品编号

C52098380

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)