NTPF250N65S3H-HXY

NTPF250N65S3H-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有650V漏源耐压（VDSS）和20A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至160mΩ，可有效降低导通损耗，提升系统效率。栅源电压范围为-5V至+16V，兼容常规驱动电路，确保栅极控制的稳定性。基于碳化硅材料特性，器件具备优异的开关性能、高温工作能力及抗辐射性能。适用于高功率密度电源系统，如大功率开关电源、高效DC-DC转换模块、不间断电源（UPS）、通信电源及可再生能源发电中的逆变与转换电路。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

NTPF250N65S3H-HXY

商品编号

C52098385

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)