温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STF16N65M5-HXY
SiC功率MOSFET N沟道增强模式，高速开关、低电容、高耐压、低导通电阻、易驱动并联，高抗EMI能力
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道碳化硅场效应管具有650V的漏源电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至160mΩ，适用于高效率功率转换设计。其栅源电压范围为-5V至+16V，具备良好的开关特性与热稳定性。得益于碳化硅材料的优异性能，该器件可在高频、高温环境下可靠运行，广泛应用于电源转换、能源管理及高性能逆变系统中，能够有效降低开关损耗，提升系统整体能效，是现代电力电子装置中的关键元件。
- 商品型号
- STF16N65M5-HXY
- 商品编号
- C52098386
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 耗散功率(Pd) | 52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 208pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 18pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ |
相似推荐
其他推荐
- FCPF260N65FL1-F154-HXY
- STF18N65M5-HXY
- FCPF260N60E-HXY
- STF20N90K5-HXY
- FCPF250N65S3L1-F154-HXY
- FCPF250N65S3R0L-F154-HXY
- IPA60R250CPXKSA1-HXY
- SIHA15N65E-GE3-HXY
- SIHA15N60E-E3-HXY
- SIHF15N65E-GE3-HXY
- IPA60R280CFD7XKSA1-HXY
- STFU23N80K5-HXY
- STF23N80K5-HXY
- STF18N65DM2-HXY
- IPA60R180P7-HXY
- MSJPF20N65A-BP-HXY
- R6524KNXC7G-HXY
- R6524ENXC7G-HXY
- FCPF190N65FL1-F154-HXY
- AOTF25S65
- SPA20N65C3XKSA1-HXY