温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IPD60R380P6-HXY
SiC功率N沟道增强型MOSFET，高速开关、低电容、高耐压、低导通电阻、易并联、易驱动、符合RoHS标准
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和15A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）典型值为260mΩ，支持-5V至+16V的栅源电压范围。基于碳化硅材料的特性，器件具备优异的耐高压与高温能力，开关损耗低，适用于高频率、高效率的电力转换电路。典型应用包括高效电源适配器、不间断电源、可再生能源发电逆变装置及高功率密度DC-DC变换器，有助于提升系统能效与功率密度。
- 商品型号
- IPD60R380P6-HXY
- 商品编号
- C52098381
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 耗散功率(Pd) | 52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 180pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 20pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ |
商品特性
- 低电容高速开关
- 高阻断电压，低导通电阻RDS(on)
- 易于并联
- 驱动简单
- 符合RoHS标准
应用领域
- 功率因数校正模块
- 开关模式电源
- 直流-交流逆变器
- 高压直流/直流转换器
相似推荐
其他推荐
- IPD65R420CFDA-HXY
- HCD65R320-HXY
- FL06320A-HXY
- NTPF250N65S3H-HXY
- STF16N65M5-HXY
- FCPF260N65FL1-F154-HXY
- STF18N65M5-HXY
- FCPF260N60E-HXY
- STF20N90K5-HXY
- FCPF250N65S3L1-F154-HXY
- FCPF250N65S3R0L-F154-HXY
- IPA60R250CPXKSA1-HXY
- SIHA15N65E-GE3-HXY
- SIHA15N60E-E3-HXY
- SIHF15N65E-GE3-HXY
- IPA60R280CFD7XKSA1-HXY
- STFU23N80K5-HXY
- STF23N80K5-HXY
- STF18N65DM2-HXY
- IPA60R180P7-HXY
- MSJPF20N65A-BP-HXY