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IPD65R420CFDA-HXY
SiC功率MOSFET N沟道增强模式，高速开关、低电容、高阻断电压、低导通电阻，易于并联和驱动，符合RoHS标准
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- 描述
- 本款N沟道碳化硅场效应管具备650V漏源电压（VDSS）和15A连续漏极电流（ID），导通电阻低至260mΩ，可有效降低导通损耗。栅源电压范围为-5V至+16V，支持稳定可靠的栅极驱动控制。依托碳化硅材料的高临界电场与高热导率特性，该器件在高电压、高频率工作条件下仍能保持优异的开关性能与热稳定性。典型应用场景涵盖高效能电源系统、太阳能逆变装置、数据中心电源模块及高密度能源转换设备，适用于对能效与功率密度有较高要求的电力电子设计。
- 商品型号
- IPD65R420CFDA-HXY
- 商品编号
- C52098382
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 耗散功率(Pd) | 52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 180pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 20pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ |
商品特性
- 低电容高速开关
- 高阻断电压与低导通电阻
- 易于并联
- 驱动简单
- 符合RoHS标准
应用领域
- 功率因数校正模块
- 开关模式电源
- 直流-交流逆变器
- 高压直流/直流转换器
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