IPD65R420CFDA-HXY

IPD65R420CFDA-HXY

描述

本款N沟道碳化硅场效应管具备650V漏源电压（VDSS）和15A连续漏极电流（ID），导通电阻低至260mΩ，可有效降低导通损耗。栅源电压范围为-5V至+16V，支持稳定可靠的栅极驱动控制。依托碳化硅材料的高临界电场与高热导率特性，该器件在高电压、高频率工作条件下仍能保持优异的开关性能与热稳定性。典型应用场景涵盖高效能电源系统、太阳能逆变装置、数据中心电源模块及高密度能源转换设备，适用于对能效与功率密度有较高要求的电力电子设计。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPD65R420CFDA-HXY

商品编号

C52098382

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)