FL06320A-HXY

FL06320A-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源击穿电压（VDSS）和15A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDS(on)）典型值为260mΩ，有助于降低导通损耗。栅源电压范围为-5V至+16V，支持标准驱动电平并具备良好的栅极可靠性。基于碳化硅材料，器件具有优异的开关速度、耐高温性能和较低的反向恢复电荷。适用于高频率、高效率的电力转换拓扑，如图腾柱PFC电路、LLC谐振转换器、高压DC-DC变换器及光伏逆变装置，可提升系统整体能效与功率密度。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

FL06320A-HXY

商品编号

C52098384

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)