HCD65R320-HXY

碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，高速开关、低电容、高耐压、低导通电阻，易于并联和驱动，符合RoHS标准

描述

该N沟道碳化硅场效应管具有650V的漏源耐压（VDSS）和15A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至260mΩ，适用于高效率、高频率的功率转换场景。其栅源电压范围为-5V至+16V，确保了可靠的栅极驱动控制。得益于碳化硅材料的特性，该器件具备优异的开关性能和热稳定性，可工作在较高结温环境下。典型应用包括高效开关电源、DC-DC转换器、太阳能逆变系统及高密度电源模块，适用于对功率密度和能效有较高要求的电力电子设备。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

HCD65R320-HXY

商品编号

C52098383

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.391克(g)