MSJU11N65-HXY

SiC功率MOSFET N沟道增强模式，高速开关、低电容、高阻断电压、低导通电阻，易于并联和驱动，符合RoHS标准

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和15A的额定漏极电流（ID），导通电阻（RDON）为260mΩ，在高温与高电压工况下仍能保持优异的导电性能。栅源电压范围-5V至+16V，支持可靠驱动与稳定开关操作。基于碳化硅材料的高热导率与耐压特性，该器件适用于高频率、高效率的电力转换系统，如高效电源适配器、储能系统中的能量变换模块、直流电源供应单元及新能源发电中的功率调节装置，适合对功率密度和系统效率有严苛要求的应用场景。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

MSJU11N65-HXY

商品编号

C52098378

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)