R6511KND3TL1-HXY

R6511KND3TL1-HXY

描述

本款N沟道碳化硅场效应管具有650V漏源电压（VDSS）和15A连续漏极电流（ID），导通电阻为260mΩ，有助于降低导通损耗，提升系统能效。栅源电压范围为-5V至+16V，确保器件在驱动信号下的稳定关断与导通。依托碳化硅材料的高耐压与高热导率特性，该器件支持高频开关操作，具备优异的热稳定性和耐久性。典型应用包括高效开关电源、不间断电源系统、光伏逆变单元、高密度电源模块及高压直流变换装置，适用于对转换效率和功率密度有较高需求的电力电子设计场景。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

R6511KND3TL1-HXY

商品编号

C52098379

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)