IPD60R400CEAUMA1-HXY

SiC功率N沟道增强型MOSFET，高速开关、低电容、高耐压、低导通电阻

描述

该N沟道碳化硅场效应管具有650V漏源电压额定值（VDSS）和15A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDS(on)）低至260mΩ，可有效降低功率损耗。栅源电压范围为-5V至+16V，支持稳定栅极驱动与阈值控制。基于碳化硅材料的特性，器件具备优异的高频开关性能、高温稳定性和低反向恢复电荷，适用于高效率、高频率的电力转换场景，如大功率开关电源、可再生能源逆变系统、储能装置的功率变换模块以及对热性能和空间布局要求较高的电子设备。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPD60R400CEAUMA1-HXY

商品编号

C52098373

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.391克(g)