STD16N65M2-HXY

STD16N65M2-HXY

描述

本款N沟道碳化硅场效应管具有650V的漏源电压（VDSS）和15A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至260mΩ，可有效减少导通损耗。栅源电压范围为-5V至+16V，支持稳定可靠的栅极驱动控制。基于碳化硅材料的特性，器件具备优异的高温工作能力与高频开关性能，反向恢复损耗显著降低。适用于高效率直流-直流转换器、不间断电源系统、光伏逆变单元及高功率密度电源模块，能够在高电压、高频率工作条件下提升整体能效，满足先进电力电子系统的严苛设计需求。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STD16N65M2-HXY

商品编号

C52098376

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)