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IPD60R385CP-HXY
SiC功率MOSFET N沟道增强模式，高速开关、低电容、高耐压、低导通电阻、易并联、易驱动
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和15A的额定漏极电流（ID），导通电阻（RDON）为260mΩ，有助于降低导通损耗。栅源电压（VGS）支持-5V至+16V范围，确保驱动可靠性与灵活性。采用碳化硅材料，具备优异的耐高温与高频特性，适用于高效率开关电源、直流变换模块及可再生能源发电中的功率转换电路。其低损耗和高热导率特性，有利于提升系统整体能效与功率密度，适合严苛的电力电子应用环境。
- 商品型号
- IPD60R385CP-HXY
- 商品编号
- C52098375
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 耗散功率(Pd) | 52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 180pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 20pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ |
商品特性
- 低电容高速开关
- 高阻断电压，低导通电阻
- 易于并联
- 驱动简单
- 符合RoHS标准
应用领域
- 功率因数校正模块
- 开关模式电源
- 直流-交流逆变器
- 高压直流/直流转换器
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