IPAN60R360P7S-HXY

SiC功率MOSFET N沟道增强模式，高速开关、低电容、高耐压、低导通电阻、易并联、易驱动、符合RoHS标准

描述

该N沟道碳化硅场效应管具有650V的漏源电压（VDSS）和15A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至260mΩ，适用于高效率功率转换设计。其栅源电压范围为-5V至+16V，具备良好的开关特性与热稳定性。得益于碳化硅材料的优异性能，该器件可在高频、高温环境下可靠运行，广泛用于电源适配器、光伏逆变系统及高效开关电源模块中，有效降低开关损耗，提升系统整体能效。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPAN60R360P7S-HXY

商品编号

C52098359

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)