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BSZ065N03LSATMA1-HXY
BSZ065N03LSATMA1-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管具有30V漏源电压（VDSS）和40A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至5mΩ，有助于减少导通损耗并提升系统效率。低RDON特性使其在高电流工作条件下具备良好的热稳定性，适用于对能效和功率密度要求较高的电路设计。典型应用包括开关电源、同步整流模块、电池供电设备的电源管理单元以及电机驱动电路中的功率开关。该器件适合集成于紧凑型高功率电子装置，用于实现高效的直流-直流转换和负载控制，满足高性能便携式设备与通信系统对可靠功率切换的需求。
- 商品型号
- BSZ065N03LSATMA1-HXY
- 商品编号
- C51949292
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.068243克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
BSZ065N03LSATMA1采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过特殊设计，具备更好的耐用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30V，漏极电流ID = 40A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 6.3mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离式直流电源
- 同步整流应用
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