CSD17505Q5A-HXY

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描述: 该N沟道场效应管具备30V漏源电压（VDSS）和高达90A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至3mΩ，显著降低导通状态下的功率损耗。其低RDON与高电流承载能力相结合，有效提升系统能效并减少散热需求。适用于高密度电源转换装置，如大功率直流-直流变换器、高性能负载开关及电池管理系统中的开关元件。该器件适合用于对效率和热性能有严格要求的中高功率电子设备，可广泛应用于便携式大功率电源、通信设备电源模块及电机控制电路中的同步整流与功率开关场景。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: CSD17505Q5A-HXY
商品编号: C51949291
商品封装: DFN-8L(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.142克(g)

商品参数