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NTMFS4C022NT1G-HXY
NTMFS4C022NT1G-HXY
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- 描述
- 这是一款N沟道场效应管（MOSFET），具有30V漏源电压（VDSS）和高达150A的连续漏极电流（ID）能力，适用于大电流开关应用。其导通电阻低至1.5mΩ，有效降低导通损耗，提升系统能效。器件具备优异的热性能和快速开关特性，适合用于高功率电源转换、大电流直流电机驱动、电池管理系统及高效能变换器等电路中，可满足对功率密度和能量效率要求较高的设计需求，是实现稳定、高效功率控制的关键元件。
- 商品型号
- NTMFS4C022NT1G-HXY
- 商品编号
- C51949289
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.148克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
NTMFS4C022NT1G采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V,ID = 150 A
- RDS(ON) < 2.4 mΩ,VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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