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NTMFS4C022NT1G-HXY

N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和其他开关应用

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描述: 这是一款N沟道场效应管（MOSFET），具有30V漏源电压（VDSS）和高达150A的连续漏极电流（ID）能力，适用于大电流开关应用。其导通电阻低至1.5mΩ，有效降低导通损耗，提升系统能效。器件具备优异的热性能和快速开关特性，适合用于高功率电源转换、大电流直流电机驱动、电池管理系统及高效能变换器等电路中，可满足对功率密度和能量效率要求较高的设计需求，是实现稳定、高效功率控制的关键元件。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: NTMFS4C022NT1G-HXY
商品编号: C51949289
商品封装: DFN-8L(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.148克(g)

商品参数

NTMFS4C022NT1G采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。