温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PXN9R0-30QLJ-HXY
PXN9R0-30QLJ-HXY
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道场效应管具有30V的漏源电压（VDSS）和35A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至7.5mΩ，在高电流应用中可有效降低导通损耗。其低RDON特性有助于减少功率器件在工作时的发热，提升系统整体能效。适用于各类需要高效开关控制的电源管理系统，如直流-直流转换器、负载开关电路以及电机驱动模块。该器件结合了高电流承载能力与优异的导通性能，适合对空间和效率有较高要求的中高功率电子设备中的功率开关与同步整流应用。
- 商品型号
- PXN9R0-30QLJ-HXY
- 商品编号
- C51949290
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.062162克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
PXN9R0-30QLJ采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V \quad ID = 35 A
- RDS(ON)< 10 m Ω@ VGS=10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
相似推荐
其他推荐
- CSD17505Q5A-HXY
- BSZ065N03LSATMA1-HXY
- ISC037N03L5ISATMA1-HXY
- AONR32314-HXY
- SISA88DN-T1-GE3-HXY
- SISA14BDN-T1-GE3-HXY
- SIRA84BDP-T1-GE3-HXY
- FDMS8018-HXY
- NTMFS4936NCT1G-HXY
- DMT35M7LFV-13-HXY
- DI150N03PQ-HXY
- DMN3069L-13-HXY
- DMTH32M5LPSQ-13-HXY
- AON6384-HXY
- NVTFS4C05NWFTAG-HXY
- NVMFS4C03NWFT1G-HXY
- BSC050N03LSGATMA1-HXY
- FDD6670S-HXY
- IRLR8729PBF-HXY
- SI7328DN-T1-GE3-HXY
- RS1G120MNTB-HXY