PXN9R0-30QLJ-HXY

N沟道增强型MOSFET，采用先进沟槽技术，适用于电池保护和其他开关应用

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描述: 该N沟道场效应管具有30V的漏源电压（VDSS）和35A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至7.5mΩ，在高电流应用中可有效降低导通损耗。其低RDON特性有助于减少功率器件在工作时的发热，提升系统整体能效。适用于各类需要高效开关控制的电源管理系统，如直流-直流转换器、负载开关电路以及电机驱动模块。该器件结合了高电流承载能力与优异的导通性能，适合对空间和效率有较高要求的中高功率电子设备中的功率开关与同步整流应用。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: PXN9R0-30QLJ-HXY
商品编号: C51949290
商品封装: DFN-8L(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.062162克(g)

商品参数