BSC0504NSI-HXY

N沟道 30V 120A

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描述: 该N沟道场效应管（MOSFET）具备30V漏源电压（VDSS）和90A连续漏极电流（ID）能力，适用于中高功率开关应用。其典型导通电阻低至3mΩ，显著减少导通损耗，提高电源转换效率。器件具有优良的热稳定性和快速开关响应特性，适合用于高性能电源管理系统、便携式大功率设备、直流变换电路以及电池供电平台中的功率控制模块，是实现高效能、低功耗电路设计的关键元件，广泛适配对电流承载能力和能效要求较高的场景。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: BSC0504NSI-HXY
商品编号: C51949188
商品封装: DFN-8L(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.14克(g)

商品参数