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AONS36306-HXY
AONS36306-HXY
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- 描述
- 这是一款N沟道场效应管（MOSFET），具有30V的漏源电压（VDSS）和80A的连续漏极电流（ID）能力，适用于中高功率开关场景。其导通电阻低至4.7mΩ，在大电流工作条件下可有效降低导通损耗，提升系统效率。器件采用标准封装，具备良好的热稳定性和响应速度，适合用于电源管理模块、直流电机驱动、电池供电设备以及各类需要高效能功率控制的电路设计中，是实现快速开关与能量优化的常用核心元件。
- 商品型号
- AONS36306-HXY
- 商品编号
- C51949187
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.140404克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
AONS36306采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30V,漏极电流ID = 80A
- 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 6mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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