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AON6512-HXY
AON6512-HXY
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- 描述
- 这是一款N沟道场效应管，具有30V的漏源电压（VDSS）和高达150A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至1.5mΩ。该器件适用于大电流开关应用，能够在高负载条件下有效降低导通损耗，提升整体能效。采用先进封装技术，具备良好的热传导性能和电流承载能力。广泛用于高性能电源转换系统、直流电机驱动、电池管理系统中的功率切换，以及对效率和空间要求较高的紧凑型电子设备中的主开关元件。
- 商品型号
- AON6512-HXY
- 商品编号
- C51949186
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.148485克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
AON6512采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源极电压VDS = 30 V,漏极电流ID = 150 A
- 栅源极电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 2.4 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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