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DMP3099LQ-13-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 这是一款P沟道场效应管，具有30V的漏源电压（VDSS）和4.1A的连续漏极电流（ID），导通电阻为48mΩ。该器件适用于中等功率的开关控制场合，能够在较低的驱动电压下实现稳定的导通状态。凭借其合理的导通电阻与电流能力，可有效减少功率损耗，提升系统能效。常用于便携式设备电源管理、电池供电单元的充放电控制、直流负载开关以及各类嵌入式电子系统的电压切换电路中，满足对空间和效率有要求的应用需求。
- 商品型号
- DMP3099LQ-13-HXY
- 商品编号
- C51949185
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.32W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.22nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 463pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 68pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 82pF |
商品概述
DMP3099LQ-13采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V,ID = -4.1A
- 当VGS = 10V时,RDS(ON) < 56mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
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