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IRF7413ZTRPBF-HXY
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有15A的最大漏极电流ID，30V的漏源电压VDSS，以及7.5mΩ的导通电阻RDON。该器件适用于多种功率控制应用，如高效电源转换、电池管理系统、直流负载切换及电机控制电路。其低导通电阻有助于降低能耗，提升系统效率。同时具备良好的热稳定性和快速开关响应特性，适合用于对能效和可靠性有要求的中高功率电子设备设计。
- 商品型号
- IRF7413ZTRPBF-HXY
- 商品编号
- C49420472
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1125克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V；11mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.317nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 131pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 163pF |
商品概述
IRF7413ZTRPBF采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 15A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 9mΩ
- 当VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 14mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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