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DMC3021LSD-13-HXY实物图
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DMC3021LSD-13-HXY

双N+P沟道增强型MOSFET

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描述
本款N+P沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源耐压（VDSS），支持连续6A的漏极电流（ID），导通电阻（RDON）为16毫欧，可有效降低导通损耗，提升系统效率。器件支持双向开关应用，适用于电源管理、便携式设备、电池供电系统及小型化电子产品的电路设计，具备高频响应能力，满足对性能与空间布局有要求的多样化应用场景。
品牌名称
HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
DMC3021LSD-13-HXY
商品编号
C49256404
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.127551克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)6A；5.5A
导通电阻(RDS(on))16mΩ@10V；45mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))1.85V；1.8V
栅极电荷量(Qg)5.2nC@10V；13.8nC@10V
属性参数值
输入电容(Ciss)255pF；760pF
反向传输电容(Crss)35pF；95pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道+P沟道
输出电容(Coss)45pF；140pF

数据手册PDF

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