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DMC3021LSD-13-HXY
双N+P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款N+P沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源耐压（VDSS），支持连续6A的漏极电流（ID），导通电阻（RDON）为16毫欧，可有效降低导通损耗，提升系统效率。器件支持双向开关应用，适用于电源管理、便携式设备、电池供电系统及小型化电子产品的电路设计，具备高频响应能力，满足对性能与空间布局有要求的多样化应用场景。
- 商品型号
- DMC3021LSD-13-HXY
- 商品编号
- C49256404
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.127551克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A；5.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V；45mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.85V；1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.2nC@10V；13.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 255pF；760pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF；95pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 45pF；140pF |
商品概述
DMC3021LSD-13采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V,ID = 6 A
- RDS(ON) < 22 mΩ(VGS = 10 V时)
- VDS = -30V,ID = -5.5A
- RDS(ON) < 45 mΩ(VGS = -10 V时)
应用领域
- 无线充电
- 升压驱动器
- 无刷电机
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