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AOTF12T50P
硅N沟道功率MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具备13A的连续漏极电流（ID）和500V的漏源耐压（VDSS），适用于多种中高功率应用场景。导通电阻（RDON）为400mΩ，有助于降低导通损耗，提高整体能效。器件结构稳定，响应速度快，适合用于开关电源、电机驱动、照明控制及家用电器等通用电子电路中，满足对性能与可靠性有要求的设计需求。
- 商品型号
- AOTF12T50P
- 商品编号
- C49256410
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.753克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 48W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 23pF |
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