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SMIRF16N65T2TL-HXY实物图
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SMIRF16N65T2TL-HXY

硅N沟道功率MOSFET

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描述
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和16A的额定漏极电流（ID），导通电阻（RDON）为450mΩ，适用于中高功率开关应用。其较高的耐压能力和稳定的电流输出特性，适合用于电源变换器、马达控制、高频开关电路及各类通用电子设备中，能够满足多种电路设计对效率与稳定性的基本要求。
品牌名称
HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
SMIRF16N65T2TL-HXY
商品编号
C49256422
商品封装
TO-220F​
包装方式
管装
商品毛重
2.957143克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)16A
导通电阻(RDS(on))450mΩ@10V
耗散功率(Pd)43W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
输入电容(Ciss)2.437nF
反向传输电容(Crss)10.4pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)200pF

数据手册PDF

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