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SMIRF16N65T2TL-HXY
硅N沟道功率MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和16A的额定漏极电流（ID），导通电阻（RDON）为450mΩ，适用于中高功率开关应用。其较高的耐压能力和稳定的电流输出特性，适合用于电源变换器、马达控制、高频开关电路及各类通用电子设备中，能够满足多种电路设计对效率与稳定性的基本要求。
- 商品型号
- SMIRF16N65T2TL-HXY
- 商品编号
- C49256422
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.957143克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 43W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 50.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.737nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 200pF |
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