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DMN2041UVT-13-HXY
双N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本产品为N+N沟道增强型场效应管（MOSFET），采用双通道设计，具备良好的导通特性和开关响应。单通道漏极电流ID可达6A，漏源击穿电压VDSS为20V，导通电阻RDON为22mΩ，支持并联使用以满足更高电流需求。器件适用于高密度电源管理系统、便携式电子设备、电池供电系统及小型化DC-DC转换器等场景，提供高效、稳定的功率控制性能。
- 商品型号
- DMN2041UVT-13-HXY
- 商品编号
- C49256472
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031208克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 330pF |
商品概述
DMN2041UVT - 13采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20V,ID = 6A
- 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 25mΩ
应用领域
-电池保护-负载开关-电源管理
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