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CPH3340-TL-E-HXY

P沟道增强型MOSFET

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描述: 本P沟道场效应管（MOSFET）具备20V漏源电压（VDSS）和4.1A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）为34毫欧，适用于中低功率开关应用。其性能参数支持高效电源管理与转换，适合用于便携式电子设备、消费类电子产品及小型电源模块中的直流控制电路。器件设计兼顾导通损耗与开关速度，可满足紧凑型电源系统对效率与稳定性的基本要求，适用于各类常规电子装置的功率控制场合。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: CPH3340-TL-E-HXY
商品编号: C49256480
商品封装: SOT-23-3L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.027667克(g)

商品参数

CPH3340-TL-E采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。