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DMT3009UFVW-13-HXY
N沟道 30V 30A
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具备30A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源电压（VDSS），适用于多种中等电压应用场景。其导通电阻（RDON）仅为9毫欧，显著降低了导通状态下的功率损耗，提升整体能效。器件采用通用型封装，具备良好的散热性能与电气稳定性，适合用于电源转换、负载开关、电池管理系统以及各类高频开关电路中，为高效、紧凑的电子设计提供有力支持。
- 商品型号
- DMT3009UFVW-13-HXY
- 商品编号
- C49256489
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.057047克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 572pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 81pF |
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