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SI3400A-HXY
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具备30V的漏源击穿电压（VDSS）和5.8A的额定漏极电流（ID），导通电阻（RDON）仅为28毫欧，能够有效降低导通损耗并提升系统效率。器件适用于中高功率电源转换应用，如DC-DC变换器、同步整流电路、电池管理及负载开关等场景。其优异的热稳定性和快速响应特性，使其在高密度电源设计中表现出良好的可靠性与性能一致性。
- 商品型号
- SI3400A-HXY
- 商品编号
- C49256506
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024832克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 825pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 78pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
商品概述
SI3400A采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V,ID = 5.8A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 30 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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