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FDS6673AZ-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本P沟道场效应管（MOSFET）具有30V漏源电压（VDSS）和15A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）低至5.8mΩ，有效降低功率损耗并提升系统效率。器件采用成熟稳定的制造工艺，具备良好的热管理和可靠性表现，适用于电源转换、开关电路、负载控制等多样化应用场合。其P沟道设计在逻辑驱动与低边开关中展现良好性能，适合对效率与稳定性有较高要求的电子设备使用。
- 商品型号
- FDS6673AZ-HXY
- 商品编号
- C49256921
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1185克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.448nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 421pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 508pF |
商品概述
FDS6673AZ采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V
- ID = -15A
- RDS(ON) < 8.7 mΩ @ VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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