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FDS6614A-HXY
N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有较高的电流承载能力和优异的导通特性。其漏极电流ID为8.5A，漏源电压VDSS为30V，适用于中低功率电源转换与控制电路。导通电阻RDON低至14毫欧，可显著减少导通损耗，提高系统整体效率。器件采用标准封装形式，具备良好的散热性能与可靠性，适用于消费类电子产品、智能家居设备、通信模块及高效DC-DC转换器等多种应用场景，满足对高性能功率器件的设计需求。
- 商品型号
- FDS6614A-HXY
- 商品编号
- C49256511
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.112克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 583pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 59pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 77pF |
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