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RRS100P03HZGTB-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款P沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源耐压（VDSS），可承受持续工作电流达12A（ID），导通电阻低至10mΩ（RDON），有效降低导通损耗并提升系统效率。器件采用先进工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于电源管理、开关电路、负载控制及便携式设备等多种场景，为各类电子系统提供高效、稳定的功率切换解决方案。
- 商品型号
- RRS100P03HZGTB-HXY
- 商品编号
- C49256513
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1145克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.94nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 290pF |
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